半導體技術雜志基礎信息：

《半導體技術》雜志是為迅速發展的中國半導體制造業服務的權威性技術刊物，也是與中國半導體產業共同成長并能堅持與國際同步的中國半導體業內最權威的國家一級刊物之一，可以毫不夸張的說它就是整個中國半導體產業發展的歷史縮影。《半導體技術》的主辦方之一的中國半導體行業協會是中國最有影響力的半導體行業協會組織，而另一個主辦單位中國電子科技集團第十三研究所是中國國內最大、最權威的半導體研究所。《半導體技術》培育了歷代中國半導體和基礎電子制造業的工程師和技術管理人員讀者,同時還全力幫助有關客戶被正確地推薦到應用、采購有關的設備和產品的人士面前。自1976年創刊以來，以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，對我國半導體事業發展發揮了重要作用。“向讀者提供更好半導體資訊，為半導體客戶開拓更大商業市場”，是《半導體技術》的追求，本刊將一如既往的堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息，為客戶帶來更多的商機！

半導體技術雜志期刊榮譽：

《半導體技術》雜志是2008年北大核心期刊，全國中文核心期刊。分別于1992年、1996年、2000年、2004年、2008年獲得北大中文核心期刊榮譽。該刊被以下數據庫收錄：CA化學文摘(美)(2009)、SA科學文摘(英)、2009)、CBST科學技術文獻速報(日)(2009)、Pж(AJ)文摘雜志(俄)(2009)、中國科學引文數據庫(CSCD—2008)。

半導體技術雜志欄目設置：

《半導體技術》雜志作為中國電子業設計、生產、開發應用的主導刊物，欄目主要設有：中國半導體發展趨勢論壇（綜述）：誠邀《半導體技術》的專家顧問發表精辟觀點和看法；政府主管部門領導提出政策投資建議。芯片生產工藝技術：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術等。IC封裝及測試：國外先進封裝技術如微間距打線技術；BGA；疊合式/三維封裝；Quad封裝等。以及IC測試、系統級測試等。新材料新設備：對半導體支撐材料如納米材料、環氧膜塑料、硅材料、低介電常數材料、化合物等及8-12英寸制造設備、后工序設備、試驗設備等加以闡述。全國集成電路產業介紹：圖文并茂的介紹中國集成電路產業發展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業：（采訪追明星蹤）針對國內外半導體行業的主流企業進行針對性訪問和系統介紹。為供需雙方提供具有參考價值的范本。新品之窗：對半導體設計與材料設備的新產品予以相關介紹和推薦設計與應用：嵌入式系統、PLD/FPGA設計；通信、網絡技術、DSP和多媒體應用；電源器件、數字/模擬IC、消費類/工業類電子器件等應用技術業界動態：綜合報道世界半導體行業最新動態會議報道：專門報道行業相關會議，傳達精神，指導工作。

半導體技術雜志訂閱方式：

ISSN：1003-353X，CN：13-1109/TN，地址：河北省石家莊市合作路113號，郵政編碼：050051。

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半導體技術雜志社投稿信息

1.內容可涵蓋半導體材料動向、開發設計、技術應用等；

2.主題鮮明，結構嚴謹，字跡清楚，圖表齊備；

3.投稿請采用電子文檔，字數在5000字以內，文件格式為文本文件、WORD文件、PAGEMAKER文件或WPS文件，要求圖文整齊、清楚；

4.打印稿請同時郵寄軟盤（WORDORWPS）或通過E-mail投寄；

5.一經刊出，即付稿酬，非作者要求，來稿一律不退，投稿后兩個月未收到編輯部錄用通知的稿件，作者可自行處理；

6.文章切勿一稿多投。

半導體技術雜志社編輯部征稿SUSSMicroTec與FraunhoferIST聯合推出用于選擇性表面處理的新技術超突變結變容管的設計模型ZnO/ZnS核/殼納米結構的形態及其演變模式ULSI硅襯底CMP速率穩定性的研究射頻磁控濺射法沉積透明柔性導電CdO薄膜Al-Mg合金化學機械拋光的實驗研究重摻雜直拉硅單晶氧化誘生缺陷的無鉻腐蝕研究熱場結構對直拉硅單晶生長能耗影響分析高阻區熔硅單晶的徑向少子壽命變化焊球植球凸塊工藝的可靠性研究基于COB技術的SiP模塊可靠性分析USEDEQUIPMENT——THECHINAMARKET我國超凈高純試劑和光刻膠的現狀與發展海峽兩岸半導體有關術語對照表基于DSP的全數字交流位置伺服控制系統的研究適于SoC的統一設計語言SystemVerilogLOGO!和STEP7定時器功能的比較與分析混合搜索策略及其在VLSI冗余最優分配中的應用先進的芯片尺寸封裝(CSP)技術及其發展前景基于DDS的頻率特性測試儀用于零中頻器件的新測試方法光孤子傳輸系統